氮化镓和碳化硅器件的开关损耗测试设备

       传统的半导体I-V特性测量方案通常是复杂且成本昂贵的，需要多种仪器配合完成测试，如电压/电流源，脉冲发生器，高精密电压/电流表等。不仅占用有限的测试台架空间，同时工程师需要编程实现多台设备的控制及同步，才能确保测试结果的准确度。源测量单元为工程师提供了一种即经济又高效的解决方案。它集六种设备功能于一体，将不同输出和测量能力整合到紧凑的2U尺寸中，可输出电压或电流以及同时测量电压和/或电流。它兼具以下仪器的功能：四象限电压源、电流源、61/2数字万用表、脉冲发生器、电池模拟器以及电子负载。

       脉冲模式下，源测量单元支持±10.5A的脉冲电流输出，脉宽可低至50μs，能够精准模拟功率器件的瞬态工况，如GaN（氮化镓）、SiC（碳化硅）器件的开关损耗测试等，为功率半导体器件的研发和测试提供了强有力的支持。

       具体步骤

1、‌连接源表和示波器‌：将源表连接到功率器件的两端，同时使用示波器观察电压和电流波形。确保使用带屏蔽的短引线探头以避免外部噪声干扰。‌

2、‌波形分割‌：将导通和关断过程中的波形分割成若干段，每段可以通过简单的三角形和矩形分段求和的方法来计算损耗。

3、‌数据处理‌：通过公式计算每段的损耗，然后将各段损耗相加得到总损耗。例如，导通损耗可以通过公式P=V×I×t 计算，其中 V 是电压，I 是电流，t 是时间。