在GJB8848标准中,针对电磁脉冲试验方法,标准给出了三种试验方法,包括:威胁级辐照试验方法,PCI注入试验方法,以及CW辐照试验方法。一般主要采用威胁级辐照试验方法(即EMP有界波或者水平极化试验),当系统外部天线或者电缆无法进行威胁级辐照试验时,则应对外部天线或电缆进行PCI注入试验。PCI注入试验容易产生更大的威胁级传导电流。本电源设计目的为进行系统级电磁脉冲效应外部电缆和天线等进行大电流注入,满足GJB8848所述的测试需求。
技术参数 | |
3CEMP - PCI - 2 kA | |
短路电流 | 20 A - 2000 A连续可调 |
输出电压 | 140 kV |
脉冲源内阻 | ≥ 60 Ω |
脉冲电流前沿时间 | ≤ 20 ns |
脉冲电流半宽时间 | 500 ns - 550 ns |
3CEMP - PCI - 5 kA | |
短路电流 | 100 A - 5000 A连续可调 |
输出电压 | 300 kV |
脉冲源内阻 | ≥ 60 Ω |
脉冲电流前沿时间 | ≤ 20 ns |
脉冲电流半宽时间 | 500 ns - 550 ns |
工作电源 | AC 110 / 220 V,±10%, 50 - 60 Hz (内地地区默认AC220V) |
机箱尺寸 | 21英寸,35U |
仪器重量 | 约136 kg |
温度范围 | 15℃ - 35℃ |
相对湿度 | 45% - 75% (无凝露) |
干扰脉冲会引起存储器数据丢失,传输数据出错,设备功能紊乱,误触发,设备工作性能降低、重新启动,以及暂时停止工作等问题。能量太高时,产生功能损坏,破坏主要是针对半导体器件与集成电路芯片,包括部件或回路间的高压电击穿、半导体 PN 结或器件烧毁、氧化层介质击穿、集成电路烧毁,造成毁灭性的物理损伤,以避免其它电子设备遭受电磁脉冲扰动或损环。
(1)3CEMP - PCI - 2 kA
短路电流:20 A - 2000 A连续可调
输出电压:140 kV
脉冲源内阻:≥ 60 Ω
脉冲电流前沿时间:≤ 20 ns
脉冲电流半宽时间:500 ns - 550 ns
(2)3CEMP - PCI - 5 kA:
短路电流:100 A - 5000 A连续可调
输出电压:300 kV
脉冲源内阻:≥ 60 Ω
脉冲电流前沿时间:≤ 20 ns
脉冲电流半宽时间:500 ns - 550 ns
(3)AD-EMP/PCI/20/550-80kV/1kA
输出电压峰值:10kV - 80kV
输出电流峰值:0.1kA - 1kA
源阻抗:≥60Ω
前沿时间:≤20ns
半宽值:500ns-550ns
重复频率:2分钟
绝缘方式:绝缘油